Моя заявка (0)

SQJA20EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 22.5 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SQJA20EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 200 V, 22.5 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8817311501
Артикул
SQJA20EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
12 ns
Rise Time:
4 ns
Вес, г
0.36
Цена по запросу
(от 245 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы SQJA Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы на 100% надежность и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SQJA доступны в различныx вариантаx, которые обеспечивают напряжение сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (VDS). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:12 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г0.36
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:17.6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:68 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:27 ns
Id - Continuous Drain Current:22.5 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:50 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.041 Ом

Техническая документация