Моя заявка (0)

SQJA06EP-T1_GE3, 60V 57A 0.0087Ohm@10V,10A 18W 3.5V@250uA PowerPAK-SO-8L MOSFETs ROHS

SQJA06EP-T1_GE3, 60V 57A 0.0087Ohm@10V,10A 18W 3.5V@250uA PowerPAK-SO-8L MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044551073
Артикул
SQJA06EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
5 ns
Вес, г
0.22
Цена по запросу
(от 88,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы SQJA Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные / P-канальные силовые МОП-транзисторы TrenchFET®. Эти автомобильные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и протестированы на 100% надежность и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS). МОП-транзисторы SQJA доступны в различныx вариантаx, которые обеспечивают напряжение сток-исток 200 В, 100 В, 80 В, 60 В, 40 В и 30 В (VDS). Типичные области применения включают управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, управление аккумуляторами и системами кузова.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:5 ns
Rise Time:5 ns
Вес, г0.22
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:27 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:55 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:57 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7.2 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V

Техническая документация