SQJ974EP-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 100В, 17А, 16Вт, PowerPAK® SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024672141
- Артикул
- SQJ974EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- Series:
- SQ
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Series: | SQ |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Fall Time: | 5 ns, 5 ns |
| Rise Time: | 5 ns, 5 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.12 |
| FET Feature | Standard |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5mOhm @ 10A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 48 W |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns, 10 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns, 20 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S, 27 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms, 21 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 30A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |