Моя заявка (0)
SQJ951EP-T1_GE3, PowerPAK-SO-8L MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044552173
Артикул
SQJ951EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
28 ns
Rise Time:
12 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 132,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:28 ns
Rise Time:12 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SQJ951EP-T1_BE3
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:50 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:56 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:39 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:14 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация