Моя заявка (0)

SQJ946EP-T1_GE3, Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm

SQJ946EP-T1_GE3, Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 15 A, 15 A, 0.027 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009095500
Артикул
SQJ946EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
Channel Type
N Channel
Структура
N-Channel
Особенности
полевая сборка
Цена по запросу
(от 151 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
Channel TypeN Channel
СтруктураN-Channel
Особенностиполевая сборка
КвалификацияAEC-Q101
Power Dissipation N Channel27Вт
Power Dissipation P Channel27Вт
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока15А
Рассеиваемая Мощность27Вт
Drain Source On State Resistance N Channel0.027Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.027Ом
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Непрерывный Ток Стока, N Канал15А
Непрерывный Ток Стока, P Канал15А
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал40В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал40В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.027Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.027 Ом