SQJ872EP-T1_GE3, MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006221129
- Артикул
- SQJ872EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 4
- Fall Time:
- 8 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 0.29 |
| Technology: | Si |
| Package Type | PowerPAK SO-8L |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 55W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 55 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 55 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1045pF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 24.5A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 24.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 24.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 35pF@25V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |