SQJ868EP-T1_GE3, MOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018737935
- Артикул
- SQJ868EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 48Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 138,66 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 48Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0062Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 58А |
| Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0062Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |