SQJ858AEP-T1_GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 33А, 48Вт, PowerPAK® SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297089
- Артикул
- SQJ858AEP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 66,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 58A Автомобильный AEC-Q101 5-контактный (4 + вкладки) PowerPak SO EP T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.6 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK SO EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | - |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 48000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 36 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 36@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 58 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1951@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.3@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |