Моя заявка (0)

SQJ858AEP-T1_GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 58A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101

SQJ858AEP-T1_GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 58A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001060406
Артикул
SQJ858AEP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 240 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 58A Автомобильный AEC-Q101 5-контактный (4 + вкладки) PowerPak SO EP T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed4
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Triple Source
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK SO EP
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)8
Typical Rise Time (ns)9
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)48000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)36
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)36@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)10
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)26
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.5
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)58
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1951@20V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)6.3@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А58
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация