SQJ740EP-T1_GE3, MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025263222
- Артикул
- SQJ740EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQJ Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные МОП-транзисторы TrenchFET® четвертого поколения с питанием 40 В. Эти МОП-транзисторы AEC-Q101, отвечающие требованиям стандарта, имеют 100% Rg и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS), протестированную при соотношении Qgd/Qgs менее 1, что оптимизирует xарактеристики коммутации. Автомобильные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQJ обеспечивают очень низкое значение RDS (on) и работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C. Эти МОП-транзисторы автомобильного класса выпускаются в корпусе PowerPak® SO-8L с одинарной или двойной конфигурацией. Типичные области применения - автомобилестроение, управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, а также управление аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 93 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 123 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.4 mOhms |