SQJ570EP-T1_GE3, MOSFETs N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004641922
- Артикул
- SQJ570EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- Series:
- SQ
- FET Type
- N and P-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| Series: | SQ |
| FET Type | N and P-Channel |
| Military | No |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 17 ns, 15 ns |
| Rise Time: | 4 ns, 5 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.51 |
| FET Feature | Standard |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | NIP |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Supplier Package | PowerPAK SO |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 9 nC, 12 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 27 W, 27 W |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns, 12 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns, 30 ns |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A, 9.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S, 7 S |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 27000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 9I12 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 9@10V@N ChannelI12@10V@P Channel |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms, 146 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.5 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 15@N ChannelI9.5@P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 420@25V@N ChannelI480@25V@P Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 45@10V@N ChannelI146@10V@P Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A(Tc), 9.5A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |