SQJ479EP-T1_GE3, MOSFETs P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006246199
- Артикул
- SQJ479EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 68W
- Особенности
- автомобильные приложения
Цена по запросу
(от 140,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 68W |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 150nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4500pF@80V |
| Continuous Drain Current (Id) | 32A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 300pF@80V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |