Моя заявка (0)

SQJ476EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SQJ476EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 23 A, 0.03 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137135
Артикул
SQJ476EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 179 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100V 23A Автомобильный AEC-Q101 5-контактный (4 + вкладки) блок питания SO T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count5
AutomotiveYes
Вес, г0.001
PCB changed4
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Triple Source
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerPAK SO
СтруктураN-Channel
Typical Fall Time (ns)50
Typical Rise Time (ns)20
Особенности-
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)45000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)10
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)10@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)11
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)23
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)515@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)38@10V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.03 Ом

Техническая документация