Моя заявка (0)

SQJ465EP-T1_GE3, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SQJ465EP-T1_GE3, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8 A, 0.07 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137137
Артикул
SQJ465EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
PowerPAK® SO8
Mounting
SMD
Вес, г
0.001
Gate charge
26.5nC
Цена по запросу
(от 281 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CasePowerPAK® SO8
MountingSMD
Вес, г0.001
Gate charge26.5nC
Channel TypeP Channel
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current-8A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power Dissipation45Вт
Type of transistorP-MOSFET
СтруктураP-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance85mΩ
Drain-source voltage-60V
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.07Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока8А
Рассеиваемая Мощность45Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.07Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.07 Ом