SQJ463EP-T1_GE3, 40V 30A 10mOhm@18A,10V 83W 2.5V@250uA P Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070062536
- Артикул
- SQJ463EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Fall Time:
- 51 ns
- Rise Time:
- 17 ns
Цена по запросу
(от 340,96 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P-CH, -40 В, -30 А, POWERPAK SO, Полярность транзистора: Канал P, Постоянный ток стока Id: -30 А, Напряжение источника стока Vds: -40 В, Сопротивление Rds(включено): 0,008 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В, Пороговое напряжение Vgs: -2 В, MSL: -, соответствует RoHS: Да
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Fall Time: | 51 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8L-4 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 121 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 45 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |