Моя заявка (0)

SQJ463EP-T1_GE3,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SQJ463EP-T1_GE3,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137136
Артикул
SQJ463EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SQ
Fall Time:
51 ns
Rise Time:
17 ns
Цена по запросу
(от 558 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P-CH, -40 В, -30 А, POWERPAK SO, Полярность транзистора: Канал P, Постоянный ток стока Id: -30 А, Напряжение источника стока Vds: -40 В, Сопротивление Rds(включено): 0,008 Ом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs: -10 В, Пороговое напряжение Vgs: -2 В, MSL: -, соответствует RoHS: Да

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SQ
Fall Time:51 ns
Rise Time:17 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.93
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8L-4
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:150 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityP Channel; Continuous Drain Current Id
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:83 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Typical Turn-Off Delay Time:121 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:45 S
Rds On - Drain-Source Resistance:8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.008 Ом

Техническая документация