SQJ459EP-T1_GE3, Транзистор, 60V 52A 83W 18mOhm@3.5A,10V P Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048525296
- Артикул
- SQJ459EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SQ
- Fall Time:
- 45 ns
- Rise Time:
- 19 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SQ |
| Fall Time: | 45 ns |
| Rise Time: | 19 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8L-4 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 73 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 83W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 108nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.586nF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 88 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 52A |
| Id - Continuous Drain Current: | 52 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 18мОм |