Моя заявка (0)
SQJ415EP-T1_GE3, MOSFETs -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004729591
Артикул
SQJ415EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SQ
Fall Time:
17 ns
Rise Time:
4 ns
Цена по запросу
(от 123,45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SQ
Fall Time:17 ns
Rise Time:4 ns
Вес, г0.51
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8-4
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:95 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:45 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Typical Turn-Off Delay Time:67 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:37 S
Rds On - Drain-Source Resistance:14 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В