Моя заявка (0)

SQJ414EP-T1_GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SQJ414EP-T1_GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0098 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000732244
Артикул
SQJ414EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.12
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
45Вт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 177 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.12
Channel TypeN Channel
Power Dissipation45Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.0098Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность45Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0098Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0098 Ом

Техническая документация