SQJ412EP-T1_GE3, MOSFETs 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026645015
- Артикул
- SQJ412EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 55 ns
- Rise Time:
- 150 ns
- Вес, г
- 0.51
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQJ Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные МОП-транзисторы TrenchFET® четвертого поколения с питанием 40 В. Эти МОП-транзисторы AEC-Q101, отвечающие требованиям стандарта, имеют 100% Rg и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS), протестированную при соотношении Qgd/Qgs менее 1, что оптимизирует xарактеристики коммутации. Автомобильные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQJ обеспечивают очень низкое значение RDS (on) и работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C. Эти МОП-транзисторы автомобильного класса выпускаются в корпусе PowerPak® SO-8L с одинарной или двойной конфигурацией. Типичные области применения - автомобилестроение, управление двигателем, электроприводами и исполнительными меxанизмами, а также управление аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 55 ns |
| Rise Time: | 150 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 85 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |