SQJ402EP-T1_GE3, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 32 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137134
- Артикул
- SQJ402EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Automotive
- Yes
- Вес, г
- 0.001
Цена по запросу
(от 281 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы в корпусе PowerPak размером 5 x 6 мм, 100 В, 32 А, 11 месяцев© - Изделие поставляется на магнитной ленте, но не наматывается (артикул: 75AH9216)
Технические параметры
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 83Вт |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | N-Channel |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Drain Source On State Resistance | 0.009Ом |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 83000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 34 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 34@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.5 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 32 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1829@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 11@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 32А |
| Рассеиваемая Мощность | 83Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.009Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.009 Ом |