SQJ402EP-T1_BE3, MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024117085
- Артикул
- SQJ402EP-T1_BE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Fall Time
- 7 ns
- Packaging
- Reel
- Rise Time
- 10 ns
- Technology
- Si
Цена по запросу
(от 189,14 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Fall Time | 7 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 10 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Vishay |
| Product Type | MOSFETs |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8-4 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge | 34 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation | 83 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 32 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 54 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |