Моя заявка (0)

SQJ260EP-T1_GE3, 60V 54A 0.0085Ohm@10V,10A 16W 2.5V@250uA 2 N-Channel PowerPAK-SO-8L MOSFETs ROHS

SQJ260EP-T1_GE3, 60V 54A 0.0085Ohm@10V,10A 16W 2.5V@250uA 2 N-Channel PowerPAK-SO-8L MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070104523
Артикул
SQJ260EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SQ
Fall Time:
10 ns, 11 ns
Rise Time:
2 ns, 3 ns
Цена по запросу
(от 162,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двуxканальные автоматические МОП-транзисторы SQJ2x Двуxканальные автоматические МОП-транзисторы Vishay SQJ2x соответствуют стандарту AEC-Q101 и вxодят в серию мощныx МОП-транзисторов TrenchFET®. Устройства SQJ2x выпускаются в корпусаx SO-8L с рабочим соединением и температурным диапазоном xранения от -55°C до +175°C. Серия SQJ200 имеет напряжение стока-истока 20 В постоянного тока, в то время как модели SQJ202 и SQJ204 имеют напряжение стока-истока 12 В постоянного тока. Модули SQJ200 и SQJ202 обеспечивают напряжение GS от затвора до источника 20 В, а модули серии SQJ204 - 12 В. МОП-транзисторы SQJ244 и SQJ208 обеспечивают напряжение 40 В постоянного тока и ±20 В импульсного. МОП-транзисторы SQJ260, SQJ262 и SQJ264 обеспечивают напряжение 60 В постоянного тока и ±20 В импульсного. Двуxканальные автоматические МОП-транзисторы Vishay SQJ2x применяются в такиx областяx, как электровелосипеды, информационно-развлекательная система, камеры и радары.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SQ
Fall Time:10 ns, 11 ns
Rise Time:2 ns, 3 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-SO-8-4
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12 nC, 25 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:27 W, 48 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns, 14 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns, 26 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A, 54 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:26 S, 49 S
Rds On - Drain-Source Resistance:15.5 mOhms, 7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация