SQJ204EP-T1_GE3, MOSFETs 12V Vds -/+12V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004729589
- Артикул
- SQJ204EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQ
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 5 ns, 27 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Преобразователи постоянного тока напряжением 48 В Vishay используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи напряжением 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея напряжением 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQ |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 5 ns, 27 ns |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC, 50 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 27 W, 48 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns, 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns, 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A, 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S, 66 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 mOhms, 8.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |