SQJ200EP-T1_GE3, Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 0.0031 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8388371893
- Артикул
- SQJ200EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- FET Type
- 2 N-Channel(Dual)
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 174 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, AEC-Q101, ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ, POWERPAK SO; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 60 А; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0031 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение
Технические параметры
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| FET Type | 2 N-Channel(Dual) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Вес, г | 2 |
| FET Feature | Standard |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W, 48W |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAKВ® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 16A, 10V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SO-8 Dual Asymmetric |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Power Dissipation N Channel | 48Вт |
| Power Dissipation P Channel | 48Вт |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A, 60A |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0031Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0031Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 60А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 60А |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0031 Ом |