Моя заявка (0)
SQJ200EP-T1_GE3, MOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062299389
Артикул
SQJ200EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
FET Type
2 N-Channel(Dual)
Packaging
Cut Tape(CT)
Вес, г
0.51
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, AEC-Q101, ДВОЙНОЙ N-КАНАЛЬНЫЙ, POWERPAK SO; Полярность транзистора: Двуxканальный N-канальный; Постоянный ток стока Id: 60 А; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,0031 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение

Технические параметры

SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
FET Type2 N-Channel(Dual)
PackagingCut Tape(CT)
Вес, г0.51
FET FeatureStandard
Part StatusActive
Power - Max27W, 48W
Channel TypeN Channel
ManufacturerVishay Siliconix
Mounting TypeSurface Mount
Package / CasePowerPAKВ® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250ВµA
Operating Temperature-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device PackagePowerPAKВ® SO-8 Dual Asymmetric
КвалификацияAEC-Q101
Power Dissipation N Channel48Вт
Power Dissipation P Channel48Вт
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
Количество Выводов8вывод(-ов)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C20A, 60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0031Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.0031Ом
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Непрерывный Ток Стока, N Канал60А
Непрерывный Ток Стока, P Канал60А
Максимальная Рабочая Температура175°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал20В
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация