SQJ186EP-T1_GE3, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016498385
- Артикул
- SQJ186EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- N
- Package Type
- PowerPAK SO-8L
Цена по запросу
(от 198 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay SIDR - это автомобильный N-канальный МОП-транзистор, который работает при напряжении 80 В и температуре 175°C. Этот МОП-транзистор используется для обеспечения высокой плотности мощности.
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8L |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом |