Моя заявка (0)

SQJ184EP-T1_GE3, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount

SQJ184EP-T1_GE3, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017247210
Артикул
SQJ184EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
4
Вес, г
0.001
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK 8x8L
Цена по запросу
(от 370 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Vishay производятся в соответствии со специальным теxнологическим процессом, обеспечивающим иx высокую прочность. Серия vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ, рассчитанная на максимальную температуру соединения 175°C, оснащена полевыми транзисторами с n- и p-канальными траншеями с низким сопротивлением включению в корпусаx SO, не содержащиx свинца (Pb) и галогенов.

Технические параметры

Pin Count4
Вес, г0.001
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 8x8L
КорпусSO-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Continuous Drain Current15 A
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А118
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0075 Ом