Моя заявка (0)

SQJ180EP-T1_GE3, 80V 248A 500W 0.003Ohm@10V,15A 3.5V 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

SQJ180EP-T1_GE3, 80V 248A 500W 0.003Ohm@10V,15A 3.5V 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044551819
Артикул
SQJ180EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Product:
MOSFETs
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 412 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы SQJ Vishay / Siliconix представляют собой N-канальные МОП-транзисторы TrenchFET® четвертого поколения с питанием 40 В. Эти МОП-транзисторы AEC-Q101, отвечающие требованиям стандарта, имеют 100% Rg и незажимаемую индуктивную коммутацию (UIS), протестированную при соотношении Qgd/Qgs менее 1, что оптимизирует xарактеристики коммутации. Автомобильные МОП-транзисторы SQJ обеспечивают очень низкое значение RDS (on) и работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C. Эти МОП-транзисторы автомобильного класса выпускаются в упаковке PowerPak® SO-8L с одинарной или двойной конфигурацией. Типичные области применения включают автомобилестроение, управление двигателем, электроприводы и исполнительные меxанизмы, а также управление аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Product:MOSFETs
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:78 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:500 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:248 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V

Техническая документация