SQJ162EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 166 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8L, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046403828
- Артикул
- SQJ162EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.074
- No. of Pins
- 4Pins
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- SO-8
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.074 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SO-8 |
| Product Range | TrenchFET Gen IV Series |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | PowerPAK SO-8L |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 60V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 166A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 166 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250W |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.004 Ом |