Моя заявка (0)

SQJ147ELP-T1_GE3, 40V 90A 12.5mOhm@10A,10V 183W P Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

SQJ147ELP-T1_GE3, 40V 90A 12.5mOhm@10A,10V 183W P Channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026394410
Артикул
SQJ147ELP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Type:
Automotive P-Channel 40 V(D-S)MOSFET
Brand:
Vishay/Siliconix
Series
TrenchFET
Product:
MOSFET
Цена по запросу
(от 121,60 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный P-канал Vishay TrenchFET представляет собой МОП-транзистор с напряжением питания 40 В. 100 % тестирование на соответствие стандартам Rg и UIS

Технические параметры

Type:Automotive P-Channel 40 V(D-S)MOSFET
Brand:Vishay/Siliconix
SeriesTrenchFET
Product:MOSFET
Pin Count4
Fall Time:16 ns
Rise Time:4 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.12
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePowerPAK SO-8L
Subcategory:MOSFETs
КорпусSO-8
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK SO-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:85 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:183 W
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:66 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0125 Ω
Maximum Continuous Drain Current90 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт183
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)12.5мОм

Техническая документация