SQJ146EP-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007111980
- Артикул
- SQJ146EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type
- Power MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- N
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 100,13 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 40V 75A 5-контактный (4+ вкладки) PowerPak SO T/R
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4+Tab |
| Вес, г | 0.9 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 75(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 75(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5 → 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0055 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 75 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |