SQJ144EP-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007121599
- Артикул
- SQJ144EP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SQJ
- Pin Count
- 4
- Fall Time:
- 5.7 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQJ Автомобильные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQJ - это N-канальные МОП-транзисторы TrenchFET ® четвертого поколения с питанием 40 В DS. Эти МОП-транзисторы AEC-Q101, отвечающие требованиям стандарта, имеют 100% rg и индуктивную коммутацию без зажима (UIS), протестированную при соотношении qgd /qgs менее 1, что оптимизирует xарактеристики переключения. Автомобильные МОП-транзисторы SQJ обладают очень низким уровнем шума (при включении) и работают в диапазоне температур от -55°C до 175°C. Эти МОП-транзисторы автомобильного класса выпускаются в упаковке PowerPak ® SO-8L с одинарной или двойной конфигурацией. Типичные области применения включают автомобилестроение, управление двигателем, электроприводы и исполнительные меxанизмы, а также управление аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SQJ |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 5.7 ns |
| Rise Time: | 4.4 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK SO-8L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 148 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 130 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5 → 3.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0036 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |