Моя заявка (0)

SQJ144EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 130 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

SQJ144EP-T1_GE3,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 130 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007115971
Артикул
SQJ144EP-T1_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SQJ
Pin Count
4
Fall Time:
5.7 ns
Цена по запросу
(от 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный N-канальный МОП-транзистор Vishay на 40 В (D-S) 175°C имеет тип корпуса PowerPak SO-8L с током разряда 130 А.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SQJ
Pin Count4
Fall Time:5.7 ns
Rise Time:4.4 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.001
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypePowerPAK SO-8L
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:36 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:148 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:21.5 ns
Id - Continuous Drain Current:130 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5 → 3.5V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0036 Ω
Maximum Continuous Drain Current130 A
Rds On - Drain-Source Resistance:4.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А130
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0036 Ом

Техническая документация