SQJ128ELP-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025186465
- Артикул
- SQJ128ELP-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 500Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 194,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 500Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Drain Source On State Resistance | 950мкОм |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 437А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK SO |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |