SQD50P08-25L_GE3, TO-252-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017685349
- Артикул
- SQD50P08-25L_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Type
- Power MOSFET
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- FET Type
- P-Channel
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 210,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный 3-контактный транзистор MOSFET P-CH 80V 50A (2+Tab) DPAK
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Pin Count | 2+Tab |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.17 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Package Type | TO-252AA |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Power Dissipation | 136(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Drain-Source On-Volt | 80(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 136W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Continuous Drain Current | 50(A) |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5350pF @ 25V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |