SQD50P06-15L-GE3, RECOMMENDED ALT 78-SQD50P06-15L_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025504601
- Артикул
- SQD50P06-15L-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Series:
- SQ
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 353 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор Vishay для поверxностного монтажа - это продукт нового поколения с напряжением сток-исток 60 В и максимальным напряжением затвор-исток 20 В.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Series: | SQ |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 39 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 150 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 112 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.02 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |