SQD50N05-11L_GE3 Vishay
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072328628
- Артикул
- SQD50N05-11L_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.22mm
- Series
- SQ Rugged
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 950 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии SQ от Vishay Semiconductor предназначены для всеx применений в автомобилестроении, требующиx высокой прочности и надежности.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | SQ Rugged |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Power Dissipation | 75Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 45A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 75W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation | 75 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34.6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.009Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2106pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |