SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 50А, 136Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070082158
- Артикул
- SQD50N04-4M5L_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.47
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 136Вт
- Power Dissipation (Pd)
- 136W
Цена по запросу
(от 275,87 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.47 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Power Dissipation (Pd) | 136W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 130nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.86nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Drain Source On State Resistance | 0.003Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.003Ом |