SQD45P03-12_GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -37А, 23Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070105716
- Артикул
- SQD45P03-12_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.22mm
- Series
- SQ Rugged
- FET Type
- P-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 189,21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Mosfet, P-Ch, 30 В, 50 А, To-252 Соответствует требованиям Rohs: Да |Vishay SQD45P03-12_GE3
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | SQ Rugged |
| FET Type | P-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.5 |
| Part Status | Active |
| Серия: | SQ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Технология: | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 71W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 15A, 10V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 19 ns |
| Power Dissipation (Max) | 71W(Tc) |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Maximum Power Dissipation | 71 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 55.3 nC @ 10 V |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 83nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Vishay |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.495nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Торговая марка: | Vishay/Siliconix |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 24 mΩ |
| Qg - заряд затвора: | 83 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 37 A |
| Время нарастания: | 11 ns |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3495pF @ 15V |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 71 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 50 A |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки: | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Типичное время задержки выключения: | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.5 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 34 S |