SQD40N10-25_GE3, MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD7
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026586126
- Артикул
- SQD40N10-25_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
- Vgs (Max)
- В±20V
Цена по запросу
(от 733,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-ТРАНЗИСТОР N-CH 100V 40A TO252
Технические параметры
| Series | TrenchFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 40A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 136W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 40A(Tc) |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |