SQD40081EL_GE3, 40V 50A 8.5mOhm@25A,10V 71W P Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062936009
- Артикул
- SQD40081EL_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы SQ Power MOSFETs МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ Automotive Power соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в широком диапазоне вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | SQ |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 153 ns |
| Rise Time: | 81 ns |
| Вес, г | 0.6 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 210 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 153 |
| Typical Rise Time (ns) | 81 |
| Pd - Power Dissipation: | 71 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 103 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 71000 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 138 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 138@10V |
| Forward Transconductance - Min: | 92 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 103 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7365@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |