Моя заявка (0)

SQD25N15-52_GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 16А, 107Вт, DPAK

SQD25N15-52_GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 16А, 107Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024651353
Артикул
SQD25N15-52_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1.44
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
107Вт
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 195,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 150В, 16А, 107Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г1.44
Channel TypeN Channel
Power Dissipation107Вт
СтруктураMOSFET
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.038Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Series
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока25А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252AA
Пороговое напряжение на затворе2…4
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт107
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)27 мОм/26А, 10В