N-Channel MOSFET, 25 A, 60 V, 3-PIn DPAK VIshay SQD25N06-22L_GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064004833
- Артикул
- SQD25N06-22L_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 6.22mm
- Series
- TrenchFETВ®
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы серии SQ от Vishay Semiconductor предназначены для всеx применений в автомобилестроении, требующиx высокой прочности и надежности.
Технические параметры
| Width | 6.22mm |
| Series | TrenchFETВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Power Dissipation | 62Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 20A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 62W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation | 62 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 49 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 25А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 25A(Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 62Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |