Моя заявка (0)

SQD23N06-31L_GE3, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 23 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

SQD23N06-31L_GE3, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 23 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012582820
Артикул
SQD23N06-31L_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.001
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Power Dissipation
37Вт
Цена по запросу
(от 288 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.001
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Power Dissipation37Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Drain Source On State Resistance0.024Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока23А
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А23
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.024 Ом