SQD10N30-330H_GE3,Power MOSFET, N Channel, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012539758
- Артикул
- SQD10N30-330H_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.73 mm
- Серия
- SQ
- Высота
- 2.38 mm
Цена по запросу
(от 454 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.73 mm |
| Серия | SQ |
| Высота | 2.38 mm |
| Корпус | TO-252 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 107 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 275 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 300 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 26 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 107 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.275 Ом |