Моя заявка (0)

SQD10N30-330H_GE3, MOSFETs N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD10N30-330H_GE3, MOSFETs N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005513373
Артикул
SQD10N30-330H_GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.34
Длина
6.73 mm
Серия
SQ
Высота
2.38 mm
Цена по запросу
(от 178,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

Технические параметры

Вес, г0.34
Длина6.73 mm
СерияSQ
Высота2.38 mm
Ширина6.22 mm
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns
Особенностиавтомобильные приложения
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора47 nC
Время нарастания18 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности107 W
Id - непрерывный ток утечки10 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки2000
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток275 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток300 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В300
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.26 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация