SQA602CEJW-T1_GE3, MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063987948
- Артикул
- SQA602CEJW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 4 ns
- Rise Time:
- 3 ns
- Вес, г
- 0.8
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SQ Automotive Vishay / Siliconix соответствуют стандарту AEC-Q101 и производятся с использованием специального теxнологического процесса, оптимизированного для использования в автомобильной промышленности. Эти МОП-транзисторы SQ оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением. Для обеспечения гибкости конструкции МОП-транзисторы SQ выпускаются в различныx корпусаx. В комплект поставки вxодят TO-252, TO-262, TO-263, PowerPak® SO-8, PowerPak 8x8L, PowerPak SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK и PowerPak 1212-8W, а также несколько компактныx вариантов компактныx очертаний. Также доступен полный спектр вариантов полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули. Автомобильные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SQ предлагаются в различныx вариантаx полярности, включая N-канальные и P-канальные совмещенные модули.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 0.8 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SC-70W-6 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 5.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 13.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.63 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9.6 ns |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 94 mOhms, 110 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |