SQA410CEJW-T1_GE3, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 7.8 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70W, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016265869
- Артикул
- SQA410CEJW-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SQA410CEJW
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay SQA - это автомобильный N-канальный МОП-транзистор, который работает при напряжении 20 В и температуре 175°C. Этот МОП-транзистор используется для обеспечения высокой плотности мощности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SQA410CEJW |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 0.001 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 29 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.021 Ом |