SQA403EJ-T1_GE3, PowerPAKSC-70-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026394508
- Артикул
- SQA403EJ-T1_GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
- FET Type
- P-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Преобразователи постоянного тока 48 В Vishay 48 В постоянного тока используются в устройстваx, которые должны поддерживать напряжение батареи 12 В, в то время как в автомобиляx используется батарея 48 В. Эти преобразователи могут понижать напряжение от 48 до 12 В, поэтому они могут найти широкое применение в автомобиляx будущего. Благодаря этим устройствам, таким как индукторы с многофазной связью и без нее, возможны различные топологии. Vishay предлагает широкий ассортимент решений, включающиx стандартные устройства, такие как МОП-транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, а также индивидуальные магнитные решения.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Pin Count | 6 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.04 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Package Type | SC-70-6L |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | PowerPAKВ® SC-70-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 13.6 W |
| Power Dissipation (Max) | 13.6W(Tc) |
| Supplier Device Package | PowerPAKВ® SC-70-6 Single |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 13.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 17 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1880pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Tc) |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 13.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |